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吸收电容

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产品列表

 

 

吸收电容与IGBT/GTO在电路中并联使用，避免因电压突变对IGBT/GTO造成损伤。

 

FSA
标准品
应用场合
 - Snubber, pulse, resonant circuits
 - SCR commutating circuit
 - High frequency, high voltage

特点
 - 0.001μF ~ 4.7μF
 - 630Vdc ~ 2000Vdc
 - 温度: -40°C ~ +105°C
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 

FSG
防潮型
应用场合
 - Snubber, pulse, resonant circuits
 - SCR commutating circuit
 - High frequency, high voltage

特点
 - 0.001μF ~ 4.7μF
 - 630Vdc ~ 2000Vdc
 - 温度: -40°C ~ +105°C
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 - 双 85 1000小时
 

FSQ
车规品
应用场合
 - Snubber, pulse, resonant circuits
 - SCR commutating circuit
 - High frequency, high voltage

特点
 - 0.001μF ~ 4.7μF
 - 630Vdc ~ 2000Vdc
 - 温度: -55°C ~ +105°C
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 - AEC-Q200,  双85 2000小时
 

FSU
车规级, 125°C
应用场合
 - Snubber, pulse, resonant circuits
 - SCR commutating circuit
 - High frequency, high voltage

特点
 - 0.001μF ~ 4.7μF
 - 630Vdc ~ 2000Vdc
 - 温度: -55°C ~ +125°C
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 - AEC-Q200, 双85 2000小时
 

FSB
(焊片式)
应用场合
 - IGBT module protection
 - High voltage, high frequency
 - High current

特点
 - 0.033μF ~ 4.0μF
 - 850Vdc ~ 2000Vdc
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 - High contact reliability
 

FSC
(椭圆形)
应用场合
 - IGBT module protection
 - High frequency, high voltage

特点
 - 0.01μF ~ 4.7μF
 - 600Vdc ~ 3000Vdc
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 

FSD
(圆形)
应用场合
 - IGBT module protection
 - High frequency, high voltage

特点
 - 0.047μF ~ 4.7μF
 - 850Vdc ~ 2000Vdc
 - High frequency, low losses
 - Double sided metallization
 

 
 

 
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