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吸收电容与IGBT/GTO在电路中并联使用，避免因电压突变对IGBT/GTO造成损伤。
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应用场合 - IGBT 模组保护
特点 - 0.033μF ~ 5.0μF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - IGBT 模组保护 - 汽车，OBC
特点 - 0.033μF ~ 5.0μF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触 - AEC-Q200D - 高温高湿 (THB)
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应用场合 - IGBT 模组保护
特点 - 0.033μF ~ 4.0μF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高电流，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - IGBT 模组保护
特点 - 0.01μF ~ 4.7μF - 600Vdc ~ 3000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - IGBT 模组保护
特点 - 0.047μF ~ 4.7μF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - GTO 保护
特点 - 0.5μF ~ 12μF - 1000Vdc ~ 3000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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