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吸收电容与IGBT/GTO在电路中并联使用，避免因电压突变对IGBT/GTO造成损伤。
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应用场合 - IGBT 模组保护 - 高压，高频
特点 - 0.033uF ~ 5.0uF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - IGBT 模组保护 - 高压，高频
特点 - 0.033uF ~ 4.0uF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - IGBT 模组保护 - 高压，高频
特点 - 0.01uF ~ 4.7uF - 600Vdc ~ 3000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - IGBT 模组保护 - 高压，高频
特点 - 0.047uF ~ 4.7uF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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应用场合 - GTO 保护 - 高压，高频
特点 - 0.5uF ~ 12uF - 1000Vdc ~ 3000Vdc - 低损耗，高频 - 高可靠性接触
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