额定容量Cn
电容器在20℃/50-120Hz下的设计电容量。
额定电压Un
对采用IEC 60831-1/-2标准的电容器，仅指设计电容器时规定的交流电压方均根值。
有效值电压Urms
电容器在连续运行过程中允许出现的最大正弦交流电压的方均根值。
纹波电压Ur
单向电压的峰到峰的交流分量。
非周期冲击电压Us
由切换或系统中任何别的扰动所导致的峰值电压，此电压只允许出现有限的次数，且每次持续时间应比基本周期短。
绝缘电压Ui
设计电容器时规定的电容器端子对外壳或对地交流电压的方均根值。若未作说明，此绝缘电压等于额定电压除以√2。
最大电流Imax
连续运行时的最大电流的方均根值。
最大峰值电流Ipk
在连续运行中允许重复出现的最大峰值电流。其数值为：
Ipk=Cx(dV/dt)
其中C为电容量，dV/dt表示电压爬升速率，即在运行中允许重复出现的最大电压爬升速率，常用来代替Ipk使用。
最大冲击电流Is
由切换或系统中任何别的扰动所导致的允许出现的峰值电流，此电流只允许出现有限的次数，且每次持续时间应比基本周期短。
串联电阻Rs
在规定的运行条件下，电容器导体部分的等效电阻。串联电阻随温度升高而增大，其电阻温度系数约为0.004／℃，近似公式为：
Rs(T2)=[1 +0.004×(T2-T1)]×Rs(T1)
等效串联电阻ESR
一个有效电阻，当它和所探讨的电容器有相等电容值的理想电容器串联时，在规定的运行条件下，该电阻的损耗功率将等于该电容器中耗散的有功功率。
介质损耗因素tgδd
电容器的介质材料在额定频率下的损耗常数。聚丙烯薄膜的典型介质损耗因素为2×10-4。
电容器的损耗因素tgδ
在规定频率的正弦波电压作用下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率，其值为等效串联电阻和容抗之比。
介质损耗功率Pd
电容器的电介质由于极化或电导引起的损耗，其值为：
Pd= U2xπ×f0×Cxtgδd
直流电容器：U =Ur/2
交流电容器：U＝√2x Urms
GTO吸收电容器：U=UNDC/2
f0：施加在电容器上电压的基本频率
C：电容量
焦耳损耗功率Pj
当电容器通过有效电流时，由于串联电阻Rs发热而引起的损耗，其值为：
Pj=I2rms×Rs
电容器的损耗功率Pt
电容器所消耗的有功功率， 由介质损耗与焦耳损耗组成，
即Pt=Pd＋Pj＝ I2rms×ESR
最大损耗功率Pmax
在最高运行温度下电容器可以承载的最大损耗功率。
自感Ls
电容器由于自身结构或组成的原因所表现出来的电感。
谐振频率fr
电容器的阻抗成为最小时的最低频率。其值为：
fr=1/（2πx√(LsxCn)）
额定频率fn
设计电容器时所规定的频率。
运行温度ϴ case
在电容器达到热平衡状态时的外壳最热点处温度。
最高运行温度ϴmax
电容器可以运行的最高外壳温度。
最低运行温度ϴmin
电容器可以运行的最低电介质温度。
冷却空气温度ϴamb
在稳定状态条件下，在电容器组最热区域的两单元之间中途所测得的空气温度。
如果仅涉及一单元，则指在离电容器外壳10cm且距其基底 2/3高度处所测得的空气温度。
外壳温升△ϴcase
外壳最热点温度和冷却空气温度之差。
热阻Rth
热阻表征的是电容器的发热功率每上升1瓦， 电容器内最热点的温度在环境温度ϴ amb的基础上升高的度数。
Rth由内部热点到外壳的热阻Rth-hc与外壳到环境的热阻Rth-ca两部分组成。
热点温度ϴhs
电容器内部最热点处的温度。其值为:
ϴhs= ϴamb+PtxRth或者ϴhs= ϴcase+PtxRth-hc
容量温度系数α
电容器在规定的温度范围内容量随温度的变化率。通常以 20℃时电容量 为参考，用百万分之一每摄氏度（10-6/℃）表示。（10-6/℃＝1 ppm/℃）
α=( Ci - C0)/( C0(Ti - T0))
Ci：电容器在温度Ti时容量
C0：电容器在T0(20±2）℃时的容量
绝缘电阻(IR)/时间常数(τ)
绝缘电阻为电容器充电1分钟后所加的直流电压和流经电容器的漏电流值的比值，单位为MΩ。时间常数为绝缘电阻和电容量的乘积，通常以秒表示，
公式如下：τ[s]= IR(MΩ)XCn(uF)
一般情况下，绝缘电阻用于描述小容量电容器的绝缘特性，时间常数用于描述大容量（如：Cn>0.33µF）电容器的 绝缘特性。
自愈性（仅对金属化薄膜电容器）
电容器的电特性在发生局部电介质击穿后迅速而基本地恢复到击穿前的值的过程。
金属化膜的金属镀层是通过真空蒸发的方法将金属沉积在薄膜上，厚度只有几十个纳米，当介质上存在弱点、杂质时， 局部电击穿就可能发生，电击穿处的电弧放电所产生的能量足 以使电击穿点邻近处的金属镀层蒸发，使击穿点与周围极板隔 开，电容器电气性能即可恢复正常。
